▲ 12寸碳化硅衬底实现厚度均匀性（TTV）≤1μm

碳化硅作为第三代半导体的主题资料，正从成熟的6英寸、8英寸晶片向12英寸拓展。随着AI/AR眼镜等光学利用及先进封装需要的鼓起，12英寸碳化硅凭借更幼的边角损失、更高的出片率和优异的产线兼容性，成为行业竞争焦点。尤其在AR领域，碳化硅的高折射率、高热导系数、低吸收率等个性，已成为光波导镜片的梦想选择。自从2024年行业内推出首款AR眼镜，其搭载的碳化硅镜片结合衍射光波导与全彩Micro-LED光机，不仅优化了光学效能，更实现70°大视场角，迅速引刊行业震荡，国内有关企业也加快跟进布局。

然而，12英寸碳化硅的技术挑战同样显著：受后路光刻工艺高精密度造约，12英寸光学碳化硅对TTV和LTV提出严苛要求；在先进封装中介层领域，除散热机能表，中介层需与芯片、基板精准键合，这要求12英寸碳化硅的TTV和LTV节造达到1μm级。但由于碳化硅莫氏硬度高达9.5，靠近钻石，相应的精密加工设备与工艺持久面对瓶颈，成为造约产业突破的关键。

南宫NG28机电凭借在12英寸硅片、蓝宝石领域的深厚技术堆集，助力浙江晶瑞SuperSiC搭建起覆盖晶体加工、激光切割、减薄、抛光、洗濯、检测的全流程12英寸碳化硅中试线，更实现产线加工、检测设备100%国产化。针对12英寸碳化硅TTV节造的行业痛点，双方研发与工艺团队从减薄设备刚性、研磨和抛光盘形节造、减薄-研磨-抛光工艺对面形影响等多个维度协同攻关，最终达成TTV≤1μm的关键突破。

▲ 浙江晶瑞SuperSiC智能造作出产现场

目前，浙江晶瑞SuperSiC 的12英寸SiC衬底已幼批量出货。未来，浙江晶瑞SuperSiC将持续聚焦大尺寸碳化硅技术突破与产业化利用，加快实现12英寸碳化硅规；槐淞坎胧，致力于在碳化硅领域实现从跟跑到领跑的技术逾越。