经过晶体尝试室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，南宫NG28第三代半导体资料SiC研发自此迈入8英寸时期，这是南宫NG28在宽禁带半导体领域获得的又一标志性成就
。

碳化硅器件拥有耐高温、耐高压、高频个性好、转化效能高、体积幼和沉量轻蹬着点，被宽泛利用于新能源汽车、轨路交通、光伏、5G通讯等领域
。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对出产工艺有着极其刻薄的要求，而大尺寸的碳化硅晶体造备一向是行业的“卡脖子”技术
。

这次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是南宫NG28在大尺寸SiC晶体研发上获得的沉大突破
。不只成功解决了8英寸SiC晶体成长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料散布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底宽泛利用打下基础
。

SiC晶体成长和加工技术自主可控是抢占未来竞争造高点的关键！一向以来，南宫NG28机电始终对峙“打造半导体资料设备当先企业，发展绿色智能高科技造作产业”的初心使命，通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不休延长产品系列
。南宫NG28机电子公司晶瑞电子SuperSic从2017年起头布局碳化硅业务，到2020年成立长晶和加工中试线，SiC晶体直径也从最初的4英寸增大到如今的8英寸，进一步缩幼国内表技术差距，保险我国碳化硅产业在关键主题技术上的自主可控
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科技创新，为国担任！这次8英寸SiC导电单晶研造成功，不仅极大地提升了南宫NG28在SiC单晶衬底行业的国际竞争力，也为宽禁带半导体产业的国产化发展添砖加瓦，为喜迎党的二十大献礼！